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      碲化鍺靶材

      時間:2025-06-06瀏覽數(shù):357

      碲化鍺靶材:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新星材料

      碲化鍺(GeTe)作為一種半導(dǎo)體材料,近年來在電子器件、相變存儲器和紅外光學(xué)領(lǐng)域嶄露頭角。
      其獨特的性能使其成為靶材應(yīng)用中的熱門選擇,尤其是在薄膜沉積技術(shù)中表現(xiàn)突出。

      碲化鍺靶材的核心優(yōu)勢在于其優(yōu)異的電學(xué)和光學(xué)特性。
      它具有較高的載流子遷移率,能夠滿足高速電子器件的需求。
      同時,GeTe在相變過程中表現(xiàn)出顯著的非晶態(tài)與晶態(tài)電阻差異,這一特性使其成為相變存儲器(PCM)的理想材料。
      此外,它在紅外波段的光學(xué)透過率較高,適用于紅外探測器和光學(xué)鍍膜。

      在制備工藝上,碲化鍺靶材通常采用真空熱壓或熱等靜壓技術(shù),以確保材料的高純度和致密性。
      高密度靶材能夠減少薄膜沉積過程中的顆粒飛濺,提高鍍膜質(zhì)量。
      然而,碲化鍺的化學(xué)穩(wěn)定性較差,容易氧化,因此在存儲和使用過程中需要嚴(yán)格控制環(huán)境條件。

      未來,隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步,碲化鍺靶材在柔性電子、神經(jīng)形態(tài)計算等新興領(lǐng)域可能發(fā)揮更大作用。
      研究人員正在探索通過摻雜和界面工程優(yōu)化其性能,以進(jìn)一步提升器件的可靠性和效率。


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